Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate72000 IOPSMaximum Random Write Rate82000 IOPS
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Ra