Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellPro
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare1.92 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellPr
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate95000 IOPSMaximum Random
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximu
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate95000 IOPSMaximum
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1.92 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate97000 IOPSMaximu
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5"Capacitate de stocare3.84 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate1000000 IOPSMaximum Random Write Rat