Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare3.2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Rata de transfer extern a datelor sustinuta64 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare3.2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Rata de transfer extern a datelor sustinuta64 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta32 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaxi